APT50GR120B2, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT50GR120B2
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 694 W |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 117 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара