AC857BQ-7, Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Артикул:
AC857BQ-7
Производитель:
Описание AC857BQ-7
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 24 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Конфигурация | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара