SISS60DN-T1-GE3, МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
Артикул:
SISS60DN-T1-GE3
Производитель:
Описание SISS60DN-T1-GE3
| Вес изделия | 1.192 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 65.8 W |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 7 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 181.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.31 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 84 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара