NST857BDP6T5G, Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
Артикул:
NST857BDP6T5G
Производитель:
Описание NST857BDP6T5G
| Серия | NST857BDP6 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 0.37 mm |
| Длина | 1 mm |
| Ширина | 0.8 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 1.190 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | SOT-963-6 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 420 mW |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 220 at 2 mA, 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at 2 mA, 5 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара