DXTN3C100PSQ-13, Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT 100V NPN Medium Pwr Low Sat Transistor
Артикул:
DXTN3C100PSQ-13
Производитель:
Описание DXTN3C100PSQ-13
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 5 W |
| Вес изделия | 97 mg |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 225 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 10 |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара