APT5020BVRG, МОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание APT5020BVRG
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 6 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 26 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 225 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара