SIZF920DT-T1-GE3, МОП-транзистор Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIZF920DT-T1-GE3
| Вес изделия | 4.675 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET;PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Dual |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W, 74 W |
| Время спада | 5 ns, 10 ns |
| Время нарастания | 5 ns, 70 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 76 A, 197 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.07 mOhms, 1.05 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V, - 12 V, + 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 29 nC, 125 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns, 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns, 17 ns |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S, 135 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара