PMDXB550UNEZ, МОП-транзистор 30V Dual N-Channel Trench МОП-транзистор
МОП-транзистор 30V Dual N-Channel Trench МОП-транзистор
Артикул:
PMDXB550UNEZ
Производитель:
Описание PMDXB550UNEZ
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
---|---|
Вес изделия | 1.290 mg |
ECCN | EAR99 |
Упаковка / блок | DFN1010B-6 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Количество каналов | 2 Channel |
Конфигурация | Dual |
Pd - рассеивание мощности | 4.03 W |
Технология | Si |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Id - непрерывный ток утечки | 590 mA |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 670 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 450 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 2 N-Channel |
Qg - заряд затвора | 1.05 nC |
Время спада | 3 ns |
Время нарастания | 7 ns |
Типичное время задержки выключения | 12 ns |
Типичное время задержки при включении | 4 ns |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 600 mS |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара