IPDD60R102G7XTMA1, МОП-транзистор HIGH POWER_NEW
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPDD60R102G7XTMA1
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 761.840 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | PG-HDSOP-10 |
| Pd - рассеивание мощности | 139 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 23 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 102 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 4 ns |
| Время нарастания | 5 ns |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара