MJD45H11J, Биполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MJD45H11J
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вес изделия | 316.843 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Полярность транзистора | PNP |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 16 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 80 MHz |
| Непрерывный коллекторный ток | 8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара