SIHD186N60EF-GE3, МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology
Код товара: 10605337
Цена от:
222,60 руб.
Нет в наличии
Описание SIHD186N60EF-GE3
| Серия | EF |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 201 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 32 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHD186N60EF-GE3 , МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode; 4th Gen E Series Technology
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара