IKB30N65EH5ATMA1, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i

Код товара: 10604718

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IKB30N65EH5ATMA1
Производитель:

Описание IKB30N65EH5ATMA1

Вид монтажаSMD/SMT
Серия650V TRENCHSTOP 5
УпаковкаReel, Cut Tape
ECCNEAR99
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Коммерческое обозначениеTRENCHSTOP
Упаковка / блокTO-263-3
КонфигурацияSingle
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.650 V
Pd - рассеивание мощности188 W
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C55 A
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.55 A
Ток утечки затвор-эмиттер100 nA

Способы доставки в Калининград

Доставка IKB30N65EH5ATMA1 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon s 650 V, 30 A hard-switching TRENCHSTOP 5 IGBT in a TO263 D2Pak package, redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT i в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.