SISH410DN-T1-GE3, МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Код товара: 10602633
Цена от:
108,18 руб.
Нет в наличии
Описание SISH410DN-T1-GE3
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | SIS |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK1212-8 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Конфигурация | Single |
| Время спада | 15 ns |
| Время нарастания | 15 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 A |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISH410DN-T1-GE3 , МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара