STF26N60DM6, МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STF26N60DM6
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Вес изделия | 1.690 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 195 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 30 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 11 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара