SIHD1K4N60E-GE3, МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
Код товара: 10596430
Цена от:
113,85 руб.
Нет в наличии
Описание SIHD1K4N60E-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | E |
| Вес изделия | 2.338 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 63 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.2 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.45 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 7.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel E-Series Power MOSFET |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.8 S |
| Время спада | 22 ns |
| Время нарастания | 23 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHD1K4N60E-GE3 , МОП-транзистор 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара