SIHD2N80AE-GE3, МОП-транзистор Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
Код товара: 10591732
Цена от:
67,97 руб.
Нет в наличии
Описание SIHD2N80AE-GE3
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | E |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.442 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 62.5 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 23 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 10 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHD2N80AE-GE3 , МОП-транзистор Nch 800V Vds 30V Vgs TO-252 (DPAK)
в город Калининград
Boxberry
от 15 раб. дней
от 663 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 304 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2583 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара