ZXTP2008ZQTA, Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Артикул:
ZXTP2008ZQTA
Производитель:
Описание ZXTP2008ZQTA
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 12 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | PNP |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5.5 A |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 110 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Непрерывный коллекторный ток | 5.5 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара