NSVS50030SB3T1G, Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 50V FOR AUTO
Биполярные транзисторы - BJT BIP PNP 3A 50V FOR AUTO
Артикул:
NSVS50030SB3T1G
Производитель:
Описание NSVS50030SB3T1G
Вид монтажа | SMD/SMT |
---|---|
Упаковка / блок | CPH-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Технология | Si |
Вес изделия | 12.750 mg |
ECCN | EAR99 |
Конфигурация | Single |
Квалификация | AEC-Q101 |
Полярность транзистора | PNP |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 185 mV |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 360 MHz |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара