SIJA52ADP-T1-GE3, МОП-транзистор 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIJA52ADP-T1-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SIJ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8L-5 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 6 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 131 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.63 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Qg - заряд затвора | 100 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 98 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара