SIR846BDP-T1-RE3, МОП-транзистор N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIR846BDP-T1-RE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8 |
| Pd - рассеивание мощности | 83.3 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 65.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 34.5 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 6 ns |
| Время нарастания | 7 ns |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 72 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара