SIHG186N60EF-GE3, МОП-транзистор 600V N-CHANNEL
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHG186N60EF-GE3
| Серия | EF |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 156 W |
| Технология | Si |
| Время спада | 32 ns |
| Время нарастания | 46 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 168 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N - Channel |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 28 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.4 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара