SIHF530-GE3, МОП-транзистор 100V Vds 20V Vgs TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHF530-GE3
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Серия | SIHF530 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вес изделия | 4.187 g |
| ECCN | EAR99 |
| Длина | 10.41 mm |
| Технология | Si |
| Ширина | 4.7 mm |
| Высота | 15.49 mm |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 26 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 34 ns |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.1 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара