IXFN300N20X3, МОП-транзистор MSFT N-CH ULTRA JNCT X3 MINI
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFN300N20X3
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 30 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 43 ns |
| Время спада | 13 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 695 W |
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 375 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
| Типичное время задержки выключения | 184 ns |
| Типичное время задержки при включении | 44 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара