IXYA20N120B4HV, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 4TH GENERATION (GENX4)TRENCH
Артикул:
IXYA20N120B4HV
Производитель:
Описание IXYA20N120B4HV
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | Trench - 650V - 1200V GenX39 |
| Упаковка | Tube |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Вес изделия | 2.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-263HV-3 |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.83 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 76 A |
| Pd - рассеивание мощности | 375 W |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 130 A |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара