SIDR626DP-T1-GE3, МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Код товара: 10574865
Цена от:
306,26 руб.
Нет в наличии
Описание SIDR626DP-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Серия | SID |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Вес изделия | 198.850 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.7 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 68 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 11 ns |
| Время нарастания | 24 ns |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 78 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIDR626DP-T1-GE3 , МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара