IXTH1N170DHV, МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXTH1N170DHV
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 6 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 38 ns |
| Время спада | 216 ns |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 290 W |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.7 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 47 nC |
| Канальный режим | Depletion |
| Типичное время задержки выключения | 130 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара