DD180N16SHPSA1, Дискретные полупроводниковые модули L T-BOND MODULE

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Дискретные полупроводниковые модули L T-BOND MODULE
Код товара: 10567651
Дата обновления: 03.02.2022 08:20
Доставка DD180N16SHPSA1 , Дискретные полупроводниковые модули L T-BOND MODULE в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание DD180N16SHPSA1

УпаковкаTray
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 135 C
ПродуктDiode Power Modules
ТипRectifier Diode Module
Вид монтажаScrew Mount
Вес изделия165 g
ECCNEAR99
Упаковка / блокPB34
Vf - прямое напряжение1.39 V
КонфигурацияRecitifier Diode
Полярность транзистораN-Channel
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток0.85 V
Vr - обратное напряжение1600 V