SISS66DN-T1-GE3, МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
Код товара: 10564151
Цена от:
111,18 руб.
Нет в наличии
Описание SISS66DN-T1-GE3
| Вес изделия | 467.500 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Коммерческое обозначение | PowerPAK |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 65.8 W |
| Время спада | 8 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 178.3 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.38 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Qg - заряд затвора | 57 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 84 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISS66DN-T1-GE3 , МОП-транзистор N-Channel 30 V (D-S) МОП-транзистор with Schottky Diode
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара