SI4501BDY-T1-GE3, МОП-транзистор -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SI4501BDY-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SI4 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 540 mg |
| Pd - рассеивание мощности | 4.5 W, 3.1 W |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Время спада | 10 ns, 14 ns |
| Время нарастания | 55 ns, 18 ns |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Технология | Si |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms, 27 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V, 8 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.5 A, 6.4 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V, - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV, 450 mV |
| Qg - заряд затвора | 25 nC, 42 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Dual |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns, 34 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns, 22 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 29 S, 24 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара