STGWT20HP65FB, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
Артикул:
STGWT20HP65FB
Производитель:
Описание STGWT20HP65FB
Упаковка / блок | TO-3P-3 |
---|---|
Серия | STGWT20HP65FB |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Through Hole |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Конфигурация | Single |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 168 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.55 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 250 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара