IMZA65R027M1HXKSA1, МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Код товара: 10556339
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5 450,34 руб.
Нет в наличии
Описание IMZA65R027M1HXKSA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | IMZA65R027 |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 4.2 ns |
| Время спада | 8.4 ns |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 189 W |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 59 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 34 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Qg - заряд затвора | 63 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 21.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21.4 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IMZA65R027M1HXKSA1 , МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара