SQJ415EP-T1_GE3, МОП-транзистор -40V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQJ415EP-T1_GE3
| Вес изделия | 531.885 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка / блок | PowerPAK-SO-8-4 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Время спада | 17 ns |
| Время нарастания | 4 ns |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 14 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 95 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 37 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара