SIA477EDJ-T1-GE3, МОП-транзистор 12V 14mOhm@4.5V 12A P-Ch
Описание SIA477EDJ-T1-GE3
Вес изделия | 41 mg |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Серия | SIA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | SC-70-6 |
Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Технология | Si |
Конфигурация | Single |
Количество каналов | 1 Channel |
Pd - рассеивание мощности | 19 W |
Время спада | 45 ns |
Время нарастания | 28 ns |
Полярность транзистора | P-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.6 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 87 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Типичное время задержки выключения | 74 ns |
Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 31 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара