SIHA100N60E-GE3, МОП-транзистор 600V Vds;+/-30V Vgs Thin-Lead TO-220
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHA100N60E-GE3
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tube |
| Серия | E |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 35 W |
| Время спада | 20 ns |
| Время нарастания | 34 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 50 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара