IXBH10N300HV, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT
Артикул:
IXBH10N300HV
Производитель:
Описание IXBH10N300HV
| Вес изделия | 6 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247HV-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 88 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара