DF11MR12W1M1B11BPSA1, Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Дискретные полупроводниковые модули LOW POWER EASY
Артикул:
DF11MR12W1M1B11BPSA1
Производитель:
Описание DF11MR12W1M1B11BPSA1
| Упаковка / блок | AG-EASY1BM-2 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | Discrete Module |
| Упаковка | Tray |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Коммерческое обозначение | EasyPACK ~ CoolSiC ~ PressFIT |
| Vf - прямое напряжение | 4.6 V |
| Вес изделия | 24 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.45 V |
| Конфигурация | Dual |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Время спада | 12 ns |
| Время нарастания | 9.6 ns |
| Типичное время задержки выключения | 43.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара