SIDR610DP-T1-GE3, МОП-транзистор 200V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8DC
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIDR610DP-T1-GE3
| Вес изделия | 348.868 mg |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Серия | SID |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | SO-8 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 20 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 39.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 31.9 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 27 S |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара