NXH100B120H3Q0PTG, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
Артикул:
NXH100B120H3Q0PTG
Производитель:
Описание NXH100B120H3Q0PTG
Продукт | IGBT Silicon Carbide Modules |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Вид монтажа | Press Fit |
Упаковка | Tray |
Технология | SiC |
Упаковка / блок | Q0BOOST |
Pd - рассеивание мощности | 186 W |
Конфигурация | Dual |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.77 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 50 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 800 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара