GAN063-650WSAQ, МОП-транзистор 650V 50MOHM GALLIUM NITRIDE
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание GAN063-650WSAQ
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Вес изделия | 4.308 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 143 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | GaN |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 34.5 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.4 V |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара