SIHB22N60EF-GE3, МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263;w/diode
Код товара: 10532994
Цена от:
320,68 руб.
Нет в наличии
Описание SIHB22N60EF-GE3
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | EF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 179 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время спада | 25 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 19 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 182 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Qg - заряд затвора | 96 nC |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5.8 S |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHB22N60EF-GE3 , МОП-транзистор Nch 600V Vds 30V Vgs TO-263;w/diode
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара