QPD1006, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
Код товара: 10532296
Изображения служат только для ознакомления.
Цена от:
323 051,24 руб.
Нет в наличии
Описание QPD1006
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | NI-50CW |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Средства разработки | QPD1006EVB3 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| ECCN | EAR99 |
| Применение | Civilian and Military Radar |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 445 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Конфигурация | Single |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 1.2 GHz to 1.4 GHz |
| Усиление | 17.8 dB |
| Выходная мощность | 450 W |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 145 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка QPD1006 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 450W 50V 1.2-1.4GHz GaN IMFET
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара