GTVA126001EC-V1-R0, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Name: GTVA126001EC-V1-R0, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
SKU: 10531949
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W

Код товара: 10531949

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка GTVA126001EC-V1-R0 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание GTVA126001EC-V1-R0

Вид монтажа	Screw Mount
Упаковка / блок	H-36248-2
Упаковка	Reel, MouseReel, Cut Tape
ECCN	EAR99
Технология	GaN-on-SiC
Полярность транзистора	N-Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток	150 V
Id - непрерывный ток утечки	10 A
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Тип транзистора	HEMT
Рабочая частота	1.2 GHz to 1.4 GHz
Усиление	18 dB
Выходная мощность	600 W
Vds - напряжение пробоя затвор-исток	10 V to 2 V

Хотите получить образцы?

Заказать образец

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← D38999/26MJ4PA-LC 929665-01-01-EU →