GTVA126001EC-V1-R0, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
Код товара: 10531949
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
169 932,06 руб.
Нет в наличии
Описание GTVA126001EC-V1-R0
| Вид монтажа | Screw Mount |
|---|---|
| Упаковка / блок | H-36248-2 |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 1.2 GHz to 1.4 GHz |
| Усиление | 18 dB |
| Выходная мощность | 600 W |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 10 V to 2 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка GTVA126001EC-V1-R0 , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара