IMW65R048M1HXKSA1, МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
Код товара: 10530704
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
1 631,60 руб.
Нет в наличии
Описание IMW65R048M1HXKSA1
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Упаковка | Tube |
| ECCN | EAR99 |
| Серия | IMW65R048 |
| Вес изделия | 6.047 g |
| Конфигурация | Single |
| Время нарастания | 12.4 ns |
| Время спада | 11.4 ns |
| Технология | SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Коммерческое обозначение | CoolSiC |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 39 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 64 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V, + 23 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.7 V |
| Qg - заряд затвора | 33 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 15.4 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14.6 ns |
Способы доставки в Калининград
Доставка IMW65R048M1HXKSA1 , МОП-транзистор SILICON CARBIDE МОП-транзистор
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара