MSCSM120AM042CT6LIAG, Дискретные полупроводниковые модули SiC MOSFET Power Module
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MSCSM120AM042CT6LIAG
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Тип | Phase Leg SiC |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SP6 |
| Pd - рассеивание мощности | 2.031 kW |
| Vf - прямое напряжение | 1.5 V |
| Технология | SiC |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Время спада | 67 ns |
| Время нарастания | 55 ns |
| Конфигурация | Dual |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 495 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.2 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Типичное время задержки выключения | 166 ns |
| Типичное время задержки при включении | 56 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара