RGS00TS65HRC11, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB
Артикул:
RGS00TS65HRC11
Производитель:
Описание RGS00TS65HRC11
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-247N-3 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 13.413 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 326 W |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 88 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара