FS100R12W2T7B11BOMA1, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
Артикул:
FS100R12W2T7B11BOMA1
Производитель:
Описание FS100R12W2T7B11BOMA1
Серия | Trenchstop IGBT7 |
---|---|
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Упаковка / блок | AG-EASY2B-2 |
Упаковка | Tray |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP ~ EasyPIM |
Вес изделия | 39 g |
ECCN | EAR99 |
Вид монтажа | Screw Mount |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Технология | Si |
Конфигурация | 6-Pack |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара