DMN10H170SFDE-7, МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
Код товара: 10520892
Цена от:
35,55 руб.
Нет в наличии
Описание DMN10H170SFDE-7
Серия | DMN10 |
---|---|
ECCN | EAR99 |
Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
Вес изделия | 6.750 mg |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
Технология | Si |
Pd - рассеивание мощности | 2.03 W |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Полярность транзистора | N-Channel |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 160 mOhms |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Qg - заряд затвора | 9.7 nC |
Канальный режим | Enhancement |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Способы доставки в Калининград
Доставка DMN10H170SFDE-7 , МОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.9A 0.66W
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара