SIHG039N60EF-GE3, МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode;4th Gen E Series Technology
Код товара: 10519603
Цена от:
1 045,72 руб.
Нет в наличии
Описание SIHG039N60EF-GE3
| Вес изделия | 6 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка | Tube |
| Серия | EF |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Технология | Si |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 357 W |
| Время спада | 78 ns |
| Время нарастания | 172 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 61 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 40 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Qg - заряд затвора | 84 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 152 ns |
| Типичное время задержки при включении | 109 ns |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG039N60EF-GE3 , МОП-транзистор EF Series Power МОП-транзистор With Fast Body Diode;4th Gen E Series Technology
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара