SIZ904DT-T1-GE3, МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIZ904DT-T1-GE3
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Упаковка / блок | PowerPAIR-6x5-8 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | SIZ |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| ECCN | EAR99 |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W, 33 W |
| Конфигурация | Dual |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 24 mOhms, 13.5 mOhms |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A, 16 A |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 1.2 V |
| Qg - заряд затвора | 12 nC, 23 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 17 S, 24 S |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара