DMN1032UCB4-7, МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
МОП-транзистор 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W
Артикул:
DMN1032UCB4-7
Производитель:
Описание DMN1032UCB4-7
| Серия | DMN10 |
|---|---|
| Вес изделия | 53.142 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | U-WLB1010-4 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 1.16 W |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Время нарастания | 5.6 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 38 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 24 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3.3 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара